Pendulum Instruments · 雙通道高壓線性放大器
A400DI
雙通道高壓放大器，內建相位反轉器，輸出 ±200 V / 150 mA，適用於壓電致動器與精密量測應用
A400DI 與 A400D 的硬體接近，關鍵差別是內建的相位反轉器：兩個通道可分別輸出同相與反相訊號，推同一個浮動負載時，兩端的電位差達到單通道的兩倍——最高 800 Vpp，而電源電壓並未提高。這是取得大擺幅最經濟的作法，前提是負載必須能浮接（兩端都不接地）。每通道 ×20 增益、±200 V、150 mA，壓擺率 400 V/µs，頻寬 DC 至 1 MHz（100 Vpp）、500 kHz（滿幅）。選型前唯一必須確認的是：您的負載能不能浮接。
產品概觀
要在負載上得到 800 Vpp，直覺的作法是買一台 ±400 V 的放大器，但差動驅動提供另一條路：用兩個 ±200 V 的通道，一個推正、一個推負，負載兩端之間的電位差就是兩者之和。A400DI 內建相位反轉器把這件事變成單機功能，不需要外部反相電路，兩路訊號的相位關係也由機器保證而不是靠佈線。這樣做的好處除了成本，還有安全與絕緣：任一端對地的電壓仍只有 200 V，絕緣設計與安全距離按 200 V 而非 400 V 規劃。限制則很明確——負載必須浮接，兩端都不能接地。許多壓電堆疊與換能器本身就是浮接的，但如果您的元件外殼接地、或安裝結構把一端固定在機架上，差動驅動就無法使用，那時應該選擇輸出電壓本身更高的機種。壓擺率 400 V/µs，頻寬在滿幅時為 500 kHz。也可以當作一般雙通道使用，反轉器不啟用即可。
主要規格
| 增益 (Gain) | ×20（固定） |
|---|---|
| 輸出電壓範圍 | ±200 V（雙極性）；反相模式最高 800 Vpp |
| 最大輸出電流 | 150 mA（含電流限制保護） |
| 頻寬 | DC 至 1 MHz（100 Vpp）；DC 至 500 kHz（最大電壓） |
| 轉速率 (Slew Rate) | 400 V/µs |
| 輸入電壓（額定） | 最大 ±10 V |
| 輸入阻抗 | 1 MΩ（30 pF） |
| 輸出阻抗 | < 0.1 Ω |
| 通道數 | 2（獨立通道，共用電源與接地） |
| 電源規格 | 220 V，50/60 Hz |
| 尺寸（W × H × D） | 257 mm × 102 mm × 262 mm |
| 重量 | 5.5 kg |
產品特點
800 Vpp 而不需 400 V 電源
兩通道差動推浮動負載，擺幅加倍，成本與絕緣需求都低於單台高壓機種。
相位反轉內建
不需要外部反相電路，兩路的相位關係由機器保證而非靠佈線。
對地電壓仍是 200 V
絕緣與安全距離按 200 V 設計，比真正的 400 V 機種寬鬆。
負載必須能浮接
兩端都不能接地——元件外殼接地或機構把一端固定時，此架構不適用。
也能當一般雙通道用
不啟用反轉器時即為兩個獨立的 ±200 V 通道。
兩種模式一台涵蓋
可作為兩組完全獨立的高壓通道，也可切換至反相模式倍增擺幅，不需要為兩種需求準備兩台設備。
典型應用場景
精密定位
壓電致動器驅動與奈米定位控制
在光學平台或精密定位系統中，研發工程師以 A400DI 將函數產生器輸出的 ±10 V 低電壓訊號放大至 ±200 V，精確驅動壓電疊層致動器，實現奈米級位移控制。雙通道反相輸出可直接跨接致動器兩端，有效電壓擺幅倍增至 ±400 V，無需外接升壓電路。
微元件測試
MEMS 元件電氣特性量測與功能驗證
MEMS 感測器、微致動器及微鏡陣列等元件在研發階段需施加精確的高壓激勵訊號以量測靜電或壓電響應特性。實驗室工程師利用 A400DI 兩個獨立通道分別激勵同一 MEMS 裝置的差動電極，再透過示波器數學運算比對通道間的相位與振幅關係，快速獲取元件的轉移函數與非線性行為。
顯示元件
液晶面板與 OLED 驅動波形評估
液晶模組及 OLED 顯示元件在材料開發或可靠度測試階段，需要施加頻率可變的高壓交流波形以評估電光特性與閾值電壓。A400DI 的反相器功能可直接產生差動驅動訊號，使待測元件在浮接狀態下承受完整的雙極性電壓，同時兼顧 1 MHz 頻寬需求，適用於寬溫度範圍材料特性曲線的快速掃描量測。
選配與配置
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標準配備（已包含）
系列型號選配
服務選配
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